PD85025STR-E RF FET STMicroelectronics - IC - 电子元器件 - 51电子网

网站地址点击访问

网站描述 类别:RF FET,描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF,系列:-,制造商:STMicroelectronics,晶体管类型:LDMOS,频率:870MHz,增益:17.3dB,电压_测试:13.6V,额定电流:7A,噪音数据:-,电流_测试:300mA,功率_输出:10W,电压_额定:40V,封装__外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直

SEO优化评分

标题长度	标题字数为59个字，标题一般需要控制在28个汉字以内。
关键词是否设置	关键词已设置
站点描述	当前站点描述字数为194个字，一般需要控制在120个字以下。
导出链接	当前导出链接有63个，导出链接数量过多。

AI建议(网站TDK)

标题：PD85025STR-E RF FET - STMicroelectronics - 电子元器件 - 51电子网

关键词：PD85025STR-E参数, PD85025STR-E供应商, PD85025STR-E资料

站点描述：PD85025STR-E是一款高性能的射频晶体管，由STMicroelectronics制造。它具有LDMOS晶体管类型和870MHz的频率，增益为17.3dB。额定电压为40V，额定电流为7A，功率输出为10W。此外，该器件还具有噪音数据为-，电流测试为300mA，功率输出为10W等特性。封装类型为PowerSO-10RF，裸露底部焊盘（2条直）。

网站收录情况

收录/数据	百度收录	搜狗收录	访问次数
更新	0	0	10

tag PD85025STR E参数 PD85025STR E供应商 PD85025STR E资料 网站价值评估网

上一篇：自动气象站_气象站设备_气象监测系统-天合环境科技

下一篇：东莞爱售网络有限公司首页 - 八方资源网